42Gb/mm²：美光下一代 G11 NAND 将在 2027 年翻倍密度
美光称 G11 将超过 400 层，存储密度比当前一代翻倍，2027 年下半年量产。
美光正在研发一种新的存储芯片，容量是现在的两倍，耗电更少。大约一年后才会进入设备。
42Gb/mm² 预期密度
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为什么重要
更高密度和更低功耗意味着更大、更高效的 SSD，但要到 2027 年下半年才会量产。
适合大多数人
关注：存储同时靠层数和单元尺寸不断进步。
细节
- 美光在本周活动上表示，G11 NAND 将于 2027 年下半年量产。
- 美光预计密度约为 G9 的两倍：据 Tom's Hardware 估算，从 21 提高到约 42 Gb/mm²。
- 预计 I/O 速度最高提升 50%，约 5,400 MT/s（当前为 3,600 MT/s），每比特数据传输能耗降低超过 25%。
- G11 采用晶圆对晶圆键合：一片晶圆做存储阵列，另一片做外围电路。
- 美光尚未公布确切层数，并计划在 2027 年披露更多技术细节。
关注未来规划：2027 年下半年之前没有产品。
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